【李俊課題組】單嬋

發布時間:2019-10-31 放大 縮小

單嬋

在站博士后

機器人與智能系統課題組

 

個人簡介

單嬋,博士畢業于哈爾濱工程大學。曾提出一種基于電場調制理論的納米級金屬氧化物半導體器件的設計結構,可用于10/7納米技術節點下的芯片電路中;其采用的“電荷等離子體”技術將靜電摻雜工藝代替傳統的化學摻雜,在亞20納米領域能夠有效地抑制短溝道效應,獲得優異的電學性能,同時降低工藝制備成本,以第一/第二作者在SCI期刊上發表論文7篇,授權專利2項。

 

研究方向

芯片設計、機械控制